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玻璃钝化层完整性检查技术的发展趋势 2019/5/24 19:49:10
玻璃钝化层完整性检查技术的发展趋势玻璃钝化层的完整性检查试验属于破坏性试验。玻璃钝化层和氧化层缺陷主要包括玻璃钝化层裂纹、空洞、大面积缺损等。玻璃钝化层裂纹主要是由玻璃钝化层和下层...[全文]
倒装焊拉脱夹具的选择2019/5/23 21:07:55
倒装焊拉脱夹具的选择在将倒装芯片拉脱的过程中,由于键合剪切强度试验系统施加在倒装芯片上的力呈现一边比较大,GAL22V10D-25LPNI产生倒装片的单侧部分互连凸点被撕裂,使拉脱...[全文]
破坏性引线键合拉力试验设备2019/5/22 22:14:04
试验设备(l)破坏性引线键合拉力试验设备。破坏性引线QCA8175-BL3A-RL键合拉力试验设各是按标准规定的试验要求,在键合引线处施加规定应力的各种整机设各,其精度为圭2%或夕...[全文]
石英晶体和压电元件2019/5/21 21:10:21
石英晶体和压电元件1)石英晶体元件AD8221ARMZ石英晶体元件的示意图如图⒋92所示。石英晶体元件的开封方式如下:金属壳元件的开封可在晶体盒的罩壳与...[全文]
非固体电解质钽电容器的开封如下:2019/5/20 21:48:18
非固体电解质钽电容器的开封如下:在外壳滚压槽与阴极之间(靠近滚压槽)进行圆周切割,抽出钽粉芯,轻轻拨去表面的凝胶酸电解质,注意不要碰伤钽粉芯表面的氧化膜,再用清水冲洗,使其露出氧化层表面。TPS...[全文]
非线绕电位器的开封2019/5/20 21:39:11
非线绕电位器的开封:(1)带有圆盖的方形塑封外壳电位器。在盖边下面的黏结缝插入刀头将盖撬开。TUSB1106PWR卸下涡轮和驱动螺杆,暴露出内部表面。...[全文]
金属膜固定电阻器按其不同的封装结构分别采用如下方法进行开封2019/5/20 21:24:11
金属膜固定电阻器按其不同的封装结构分别采用如下方法进行开封。(1)涂覆型电阻器可采用化学方法去除涂覆层,采用的工艺和材料应能溶解并剥离涂覆层,但不得腐蚀金属膜、芯体、引出端和熔焊点...[全文]
X射线荧光测厚仪的工作原理2019/5/19 17:21:11
X射线荧光测厚仪的工作原理如图4-38所示,由X射线罩、安全阀门、准直器、X射线、计数器等部分组成。X射线荧光测厚仪的工作原理如图4-39所示。其采用高能X射线轰击样品表面,被测M...[全文]
声学扫描显微镜检查2019/5/18 19:40:46
声学扫描显微镜检查(以下简称声扫)是一种有效的检测芯片黏结空洞和分层,以及塑G3202BTL1U封器件内部缺陷的非破坏性技术,在鉴定检验和工程应用中得到了广泛使用。声扫是一种无损检...[全文]
无引线片式载体和同类封装器件的焊盘附着性能2019/5/18 19:36:00
无引线片式载体和同类封装器件的焊盘附着性能1)试验设各G2RL-2-5VDC本试验所用设备应包括放大10倍的显微镜、合适的夹钳、夹具,用于固定器件,而且对焊到器件焊盘...[全文]
引出端强度用来测定电子元器件的引线2019/5/18 19:24:36
引出端强度用来测定电子元器件的引线(引出端)、焊接和密封的牢固性。引出端强G2007RG1U度试验主要分为拉力试验、弯曲应力试验、引线疲劳试验、引线扭力试验、螺栓转矩试验,以及无引线片式载体和同...[全文]
混合集成电路接收判据2019/5/17 20:31:50
混合集成电路接收判据单个器件检查应包括但又不限于检查以下项目:外来颗粒、元件的位置和取向、基板裂H1260NL纹长度超过0.127mm或指向有源金属化区、黏合剂积聚、焊料飞溅、引线...[全文]
扁平封装和双列直插封装2019/5/16 21:21:51
扁平封装和双列直插封装(见图⒋23)(1)接触或跨接其他引线或键AD574AJD合点的任何引线(仅y平面)。(2)偏离从键合点到外引线间的直线并与另外键合点或引线间距...[全文]
应采用大小足以容纳试验样品的耐腐蚀的容器2019/5/16 20:44:18
焊料槽:焊料槽尺寸应能容纳至少1kg的焊料,在浸焊过程中,焊料应处于静止状态,HCS301-I/SN应能保持焊料温度为(z5±5)℃的恒温条件。图⒋17...[全文]
物理试验是产品验证和生产过程中改进产品设计2019/5/15 20:59:00
由于电子元器件的种类繁多,且没有统一的外观检查标准,本书仅针对器件和元件类产品的检查标准进行简单介绍。器件类产品外观检查参照标准一般为GJB548《微电子器件试验方法...[全文]
IPM和IDM测试2019/5/15 20:31:25
IPM和IDM测试该产品IPM和IDM各包含512K位SRAM,采用动态模式进行测试,测试向量为“棋盘格”图案,测试流程如图3-26所示。辐照开始后,DSP测试代码用“棋盘格”图案...[全文]
DsP单粒子效应试验方法2019/5/15 20:29:40
DsP单粒子效应试验方法图3-25所示为某型DsP(Ⅱgitalsign破Pro⑽∞r,数字信号处理器)的单粒子翻转试验系统示意图。GAL22V10D-10LP该型产品的单粒子翻转...[全文]
需要根据器件的结构性能确定试验离子的种类和数量2019/5/15 20:17:31
确定试验源以后,需要根据器件的结构性能确定试验离子的种类和数量。单粒子GAL16V8D-15LPN试验的目的是通过试验获得单粒子截面σ―LET关系曲线,并根据关系曲线进行单粒子事件率的预估,因此...[全文]
MOS器件加速退火试验2019/5/14 20:44:08
由于温度的升高将会加速氧化物陷阱电荷的退火,而且温度的升高将会使界面态的生长速度增加。M24C08-WMN6TP因此,可以利用提高温度来使高剂量率辐照后的室温退火加速,进行A=1OO℃的168小...[全文]
电离总剂量辐照源及试验设备2019/5/14 20:30:21
电离总剂量辐照源及试验设备半导体器件对辐射非常敏感,为保证电子设备在特定的辐射环境下能正常I作,必须对M24512-WMN6TP它们的辐射效应及辐射加固进行研究。利用卫星搭载飞行试...[全文]
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