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排列5:晶体管STY100NM60NMOSFET-单

排列5杀号定胆 www.0oax.com.cn 发布时间:2018-6-21 11:30:00 访问次数:124 发布企业:艾睿(深圳)实业有限公司

STY100NM60N介绍:

描述 MOSFET N CH 600V 98A MAX247

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 42 周

详细描述 通孔 N 沟道 600V 98A(Tc) 625W(Tc) MAX247™

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 STMicroelectronics

系列 MDmesh™ II

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 98A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 29 毫欧 @ 49A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 330nC @ 10V

Vgs(最大值) 25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9600pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 625W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 MAX247™

封装/外壳 TO-247-3

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;


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晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值,例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用,晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性,像是直流放大率hfe、NF噪讯比等,可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。

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