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中国体育彩票排列5:晶体管FDD5N60NZTMMOSFET-单

排列5杀号定胆 www.0oax.com.cn 发布时间:2018-6-21 11:07:00 访问次数:93 发布企业:安富利(深圳)商贸有限公司

FDD5N60NZTM介绍:

描述 MOSFET N-CH 600V DPAK-3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 20 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 600V 4A(Tc) 83W(Tc) D-Pak

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 UniFET-II™

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2 欧姆 @ 2A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 10V

Vgs(最大值) ±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 83W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D-Pak

封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

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晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一,放热很少,可用于设计小型、复杂、可靠的电路。晶体管的制造工艺虽然精密,但工序简便,有利于提高元器件的安装密度。晶体管,本名是半导体三极管。

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